产品特点纳米氮化钽（TaN)通过气溶胶烧蚀法制备，具有纯度高，粒径小，分布均匀、比表面积大，高表面活性，不溶于水、酸，微溶于王水，溶于氢氧化钾并分解释放出氨。加热至2000℃即释放出氮气。用来制造高...

产品特点纳米氮氧化钛（TiON)通过气溶胶烧蚀法制备，具有纯度高，粒径小，分布均匀、比表面积大，高表面活性，松装密度低等特点；光催化剂中的纳米TiON以其稳定的化学性质、较强的氧化还原和抗光阴极腐蚀...

产品特点纳米氧化钛通过气溶胶盐烧蚀法制备，纯度高、粒径小、分布均匀，比表面积大、表面干净，无残余杂质，松装密度低，易于分散，小颗粒的纳米二氧化钛有很好的光催化效果，能分解在空气中的有害气体和部分无机...

产品特点纳米氧化锆粉通过气溶胶盐烧蚀法制备，纯度高、粒径小、分布均匀，比表面积大、表面干净，无残余杂质，松装密度低，易于分散，纳米氧化锆，硬度较大、常温下为绝缘体、而高温下则具有优良的导电性，具有抗...

产品特点纳米氧化铝粉通过气溶胶盐烧蚀法制备，纯度高、粒径小、分布均匀，比表面积大、表面干净，无残余杂质，松装密度低，易于分散，晶相稳定、硬度高、尺寸稳定性好，可广泛应用于各种塑料、橡胶、陶瓷产品的补...

产品特点纳米氧化镁通过气溶胶盐烧蚀法制备，纯度高、粒径小、分布均匀，比表面积大、表面干净，无残余杂质，松装密度低，易于分散，有明显的小尺寸效应、表面效应、量子尺寸效应和宏观隧道效应，经表面改性处理，...

产品特点纳米氧化铜通过气溶胶盐燃烧法制备，纯度高、粒径小、分布均匀，比表面积大、表面干净，无残余杂质，松装密度低，易于分散，具有表面效应、量子尺寸效应、体积效应以及宏观量子隧道效应等优越性能，在磁性...

产品特点纳米氧化锌通过气溶胶盐燃烧法制备，纯度高、粒径小、分布均匀，比表面积大、表面干净，无残余杂质，松装密度低，易于分散，纳米氧化锌，具有强的屏蔽红外、紫外线和杀菌保健、降温或保暖等许多奇异功能。...

产品特点纳米碳氮化钛粉通过气溶胶烧蚀法制备，纳米碳氮化钛为光泽性的黑色粉末，是一种“零维”的三元固溶体，兼具TiC和TiN的优点，具有高熔点、高硬度、耐磨、耐氧化、耐腐蚀等特性，并具有良好的导热性、...

产品特点纳米碳化钒粉通过气溶胶烧蚀法制备，纳米碳化钒VC=62.95，含碳22%是黑色金属状粉末，属氯化钠型立方晶系的结晶，晶格常数4.182埃，熔点28000C，沸点39000C，有良好的化学稳定...

产品特点纳米碳化锆粉通过气溶胶烧蚀法制备，粉体纯度高、粒径小、分布均匀，比表面积大、高表面活性，松装密度低,具有耐高温、抗氧化、强度高、硬度高、导热性良好，韧性好，它是一种重要的高熔点、高强度和耐腐...

产品特点纳米碳化铬粉通过气溶胶烧蚀法制备，粉体是斜方晶系，a=2.821、b=5.52、c=11.46、相对密度6.68、熔点1890℃、沸点3800℃、热膨胀系数10.3×10-6/K；...

产品特点纳米碳化硅粉通过气溶胶烧蚀法制备，具有纯度高、粒径分布范围小、高比表面积；纳米碳化硅具有化学性能稳定、导热系数高（165W/M.K）、热膨胀系数小、硬度高，莫氏硬度达9.5，显微硬度为284...

产品特点纳米碳化铪粉通过气溶胶烧蚀法制备，粉体活性高，表面能大，广泛地应用到粉末冶金上面，碳化铪(HfC)=185.501，含碳6.47%，属于氯化钠型立方晶系的结晶，理论密度12.7g/cm3，熔...

产品特点纳米碳化钼粉通过气溶胶烧蚀法制备，属密排六方晶格（a=3.004?,c=4.722?），亦有面心立方晶格（晶格常数4.14?）,无氧酸与碳化钼不起反应，但溶于硝酸和王水，并析出碳。密度为9....

产品特点纳米碳化铌粉通过气溶胶烧蚀法制备，粉体颗粒度小、均匀，表面活性高，密度为7.82g/cm3，熔点30000C，沸点38000C。化学稳定性好，高温性能好，是一种高熔点、高硬度材料，广泛用于难...

产品特点纳米碳化硼粉通过气溶胶烧蚀法制备，产品纯度高、粒径小、分布均匀，比表面积大、高表面活性，松装密度低，是一种人工合成的超硬质材料，硬度仅次于金刚石，莫氏硬度9.46，显微硬度5600—6200...

产品特点纳米碳化钛粉通过气溶胶烧蚀法制备，具有纯度高、粒径分布范围小、高比表面积，表面活性高，耐高温，抗氧化，是一种很好的耐熔耐磨材料，广泛被应用到硬质合金、耐磨超硬材料上面；碳化钛熔点约3200℃...

产品特点纳米碳化钽粉通过气溶胶烧蚀法制备，粉体颗粒度均匀，易分散、硬而质重，有很高的化学稳定性和良好的高温性能，抗氧化能力强，导电性大。密度14.5g/cm3，熔点38750C，沸点55000C。碳...

产品特点纳米碳化钨粉通过气溶胶烧蚀法制备，纯度高，粒度均匀，分散性好，是生产硬质合金的重要原材料，纳米碳化钨粉可使硬质合金具有许多更加优良的特性，其熔点2860°C±50...